豪掷 150 亿元,无锡打造集成电路装备与材料产业园

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2 月 21 日消息,总投资 150 亿元的无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目,总投资 37 亿元的吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目也正式签约。豪掷 150 亿元,无锡打造集成电路装备与材料产业园
此次先导集团建设全国首个集成电路装备和核心材料产业园,携手业界知名公司共建化合物半导体国产自主创新供应链,合作研制新型定制化、差异化的设备、零部件和材料,形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态,必将为无锡加快打造培育“世界级”产业集群,做强产业链各环节,促进产业基础高端化,提升产业链现代化水平,夯实无锡经济的“产业底盘”做出新的贡献。 先导智能是全球新能源装备龙头企业,目前在新能源装备领域全球第一,多项产品技术水平达到国际领先水平。公司于 2015 年上市,当前主要业务正从锂电、光伏自动化设备向锂电、光伏整线自动化方案、泛半导体工艺设备逐渐布局。为解决我国集成电路产业设备、核心零部件材料国产化比例不足等问题。 为促进半导体产业发展,近年来,无锡已引进多个集成电路项目,去年 5 月份就投资近 413 亿元,签约拉普拉斯半导体等 18 个项目,今年一月份,总投资 20 亿,签约韩国 SK 海力士,共建集成电路产业园,此前已有多项合作。 此次无锡先导集成电路装备与材料产业园项目,规划占地 700 亩,总投资 150 亿元,拟分 3 期进行建设。整个产业园以总部大楼、特色 IC 设计孵化器、专用装备基地、高端材料区、特色工艺区进行布局,计划 5 年后形成国内领先的半导体装备与核心零部件材料产业集群,最终形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态,填补无锡地区的产业链空白。 吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目为首个落户无锡先导集成电路装备与材料产业园的项目,主要进行 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底及 GaN-On-GaN 功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目总投资约人民币 37 亿元,计划用地 50 亩,全部建成投产后,不仅能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链,创造年 30 亿元的销售额,还能够填补无锡市在化合物半导体原材料领域的空白,提升我国半导体事业的发展水准。

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